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GB01SLT12-252

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Número da peça
GB01SLT12-252
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descrição
DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
GB01SLT12-252.pdf
Total:$1.28825
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(Em dólares americanos)
1pcs
$1.28825

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Número da peça
GB01SLT12-252
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descrição
DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Status da Peça
Active
Tipo de Diodo
Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max)
1200V
Atual - Média Retificada (Io)
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If
1.8V @ 1A
Rapidez
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr
2µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F
69pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-252
Temperatura de funcionamento - junção
-55°C ~ 175°C

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