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IPP50R350CPHKSA1

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Número da peça
IPP50R350CPHKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
IPP50R350CPHKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 370µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1020pF @ 100V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
89W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO220-3-1
Pacote / caso
TO-220-3

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