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CYD09S18V18-200BBXC

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Número da peça
CYD09S18V18-200BBXC
Fabricante
Cypress Semiconductor
Descrição
IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
CYD09S18V18-200BBXC.pdf
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
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Número da peça
CYD09S18V18-200BBXC
Fabricante
Cypress Semiconductor
Descrição
IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
Status da Peça
Obsolete
Tipo de memória
Volatile
Formato de memória
SRAM
Tecnologia
SRAM - Dual Port, Synchronous
Tamanho da memória
9Mb (512K x 18)
Freqüência do relógio
200MHz
Escrever tempo de ciclo - Word, página
-
Tempo de acesso
3.3ns
Interface de memória
Parallel
Tensão - fonte
1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de operação
0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
256-LBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
256-FBGA (17x17)

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