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STH185N10F3-6

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Número da peça
STH185N10F3-6
Fabricante
STMicroelectronics
Descrição
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
STH185N10F3-6.pdf
Total:$3.09497
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(Em dólares americanos)
1pcs
$3.09497

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Número da peça
STH185N10F3-6
Fabricante
STMicroelectronics
Descrição
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
180A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
114.6nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
6665pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
315W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
H2PAK-6
Pacote / caso
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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