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SPB08P06PGATMA1

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Número da peça
SPB08P06PGATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SPB08P06PGATMA1.pdf
Total:$0.45540
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.45540

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Número da peça
SPB08P06PGATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
Status da Peça
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
8.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
42W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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