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MSRT200160(A)D

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Número da peça
MSRT200160(A)D
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descrição
DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
MSRT200160(A)D.pdf
Total:$78.26560
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Preço Alvo (USD)
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$78.26560

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Número da peça
MSRT200160(A)D
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descrição
DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
Status da Peça
Active
Configuração de diodo
1 Pair Series Connection
Tipo de Diodo
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max)
1600V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo)
200A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If
1.1V @ 200A
Rapidez
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr
10µA @ 1600V
Temperatura de funcionamento - junção
-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote / caso
Three Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
Three Tower

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