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IPI111N15N3GAKSA1

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Número da peça
IPI111N15N3GAKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPI111N15N3GAKSA1.pdf
Total:$2.80602
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$2.80602

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Número da peça
IPI111N15N3GAKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
83A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.1 mOhm @ 83A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 160µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3230pF @ 75V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
214W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO262-3
Pacote / caso
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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