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TPH1R712MD,L1Q

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Número da peça
TPH1R712MD,L1Q
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$0.54600
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.54600

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Número da peça
TPH1R712MD,L1Q
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
Status da Peça
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
182nC @ 5V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
10900pF @ 10V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-SOP Advance (5x5)
Pacote / caso
8-PowerVDFN

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