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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FDB8880

FDB8880

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Número da peça
FDB8880
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
FDB8880.pdf
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Preço de referência
(Em dólares americanos)		 1pcs
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Número da peça
FDB8880
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
11A (Ta), 54A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.6 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1240pF @ 15V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
55W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-263AB
Pacote / caso
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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