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IGLD60R070D1AUMA1

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Número da peça
IGLD60R070D1AUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
IC GAN FET 600V 60A 8SON
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IGLD60R070D1AUMA1.pdf
Total:$15.94978
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(Em dólares americanos)
1pcs
$15.94978

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Número da peça
IGLD60R070D1AUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
IC GAN FET 600V 60A 8SON
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
15A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
1.6V @ 2.6mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (máx.)
-10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 400V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
114W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-LSON-8-1
Pacote / caso
8-LDFN Exposed Pad

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