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PMDPB28UN,115

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Número da peça
PMDPB28UN,115
Fabricante
NXP Semiconductors
Descrição
MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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(Em dólares americanos)
1pcs
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Número da peça
PMDPB28UN,115
Fabricante
NXP Semiconductors
Descrição
MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
37 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
4.7nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
265pF @ 10V
Potência - Max
510mW
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
6-UDFN Exposed Pad
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
DFN2020-6

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