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IPI100N06S3L04XK

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Número da peça
IPI100N06S3L04XK
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPI100N06S3L04XK.pdf
Total:$2.59000
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$2.59000

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Número da peça
IPI100N06S3L04XK
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
362nC @ 10V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
17270pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
214W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO262-3
Pacote / caso
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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