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IXTA2N100

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Número da peça
IXTA2N100
Fabricante
IXYS Corporation
Descrição
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IXTA2N100.pdf
Total:$3.19500
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$3.19500

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Número da peça
IXTA2N100
Fabricante
IXYS Corporation
Descrição
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
825pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-263 (IXTA)
Pacote / caso
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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