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ES3JB M4G

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Número da peça
ES3JB M4G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
ES3JB M4G.pdf
Total:$0.18802
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.18802

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Número da peça
ES3JB M4G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Status da Peça
Active
Tipo de Diodo
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max)
600V
Atual - Média Retificada (Io)
3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If
1.45V @ 3A
Rapidez
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
35ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr
10µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F
34pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
DO-214AA, SMB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamento - junção
-55°C ~ 150°C

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