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FDD86367

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Número da peça
FDD86367
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CHANNEL 80V 100A TO252
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
FDD86367.pdf
Total:$0.99465
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.99465

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Número da peça
FDD86367
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CHANNEL 80V 100A TO252
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
88nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4840pF @ 40V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
227W (Tj)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
D-PAK (TO-252)
Pacote / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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