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NCP81075DR2G

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Número da peça
NCP81075DR2G
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$1.05300
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$1.05300

Requote Quote

Número da peça
NCP81075DR2G
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
Status da Peça
Active
Configuração Dirigida
High-Side or Low-Side
Tipo de canal
Independent
Número de Drivers
2
Tipo de portão
N-Channel MOSFET
Tensão - fonte
8.5V ~ 20V
Tensão Lógica - VIL, VIH
0.8V, 2.7V
Corrente - Saída de pico (fonte, dissipador)
4A, 4A
Tipo de entrada
Non-Inverting
Alta Tensão Lateral - Max (Bootstrap)
200V
Tempo de subida / queda (Typ)
8ns, 7ns
Temperatura de operação
-40°C ~ 140°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-SOIC

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