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TK12Q60W,S1VQ

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Número da peça
TK12Q60W,S1VQ
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
TK12Q60W,S1VQ
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
11.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
340 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.7V @ 600µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
890pF @ 300V
Recurso FET
Super Junction
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
I-PAK
Pacote / caso
TO-251-3 Stub Leads, IPak

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