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BSG0813NDIATMA1

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Número da peça
BSG0813NDIATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
BSG0813NDIATMA1.pdf
Total:$1.01930
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$1.01930

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Número da peça
BSG0813NDIATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
Status da Peça
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Recurso FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
19A, 33A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 12V
Potência - Max
2.5W
Temperatura de operação
-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
8-PowerTDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TISON-8

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