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SI7842DP-T1-E3

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Número da peça
SI7842DP-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
SI7842DP-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Potência - Max
1.4W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerPAK® SO-8 Dual

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