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BSZ036NE2LSATMA1

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Número da peça
BSZ036NE2LSATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
BSZ036NE2LSATMA1.pdf
Total:$0.36575
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(Em dólares americanos)
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$0.36575

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Número da peça
BSZ036NE2LSATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
16A (Ta), 40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 12V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.1W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TSDSON-8-FL
Pacote / caso
8-PowerTDFN

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