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PHD34NQ10T,118

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Número da peça
PHD34NQ10T,118
Fabricante
NXP Semiconductors
Descrição
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
PHD34NQ10T,118
Fabricante
NXP Semiconductors
Descrição
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1704pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
136W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
DPAK
Pacote / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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