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RS1JLHRQG

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Número da peça
RS1JLHRQG
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
RS1JLHRQG.pdf
Total:$0.05655
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$0.05655

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Número da peça
RS1JLHRQG
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Status da Peça
Active
Tipo de Diodo
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max)
600V
Atual - Média Retificada (Io)
800mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If
1.3V @ 800mA
Rapidez
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
250ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr
5µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F
10pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
DO-219AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
Sub SMA
Temperatura de funcionamento - junção
-55°C ~ 150°C

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