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EPC2016C

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Número da peça
EPC2016C
Fabricante
EPC
Descrição
GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
EPC2016C.pdf
Total:$1.05000
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$1.05000

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Número da peça
EPC2016C
Fabricante
EPC
Descrição
GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
18A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 5V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 50V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
-
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
Die
Pacote / caso
Die

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