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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single NVD5890NLT4G

NVD5890NLT4G

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Número da peça
NVD5890NLT4G
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 40V 123A DPAK
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$0.00000
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(Em dólares americanos)		 1pcs
$0.00000

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Número da peça
NVD5890NLT4G
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 40V 123A DPAK
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
24A (Ta), 123A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 4.5V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4760pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
4W (Ta), 107W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
DPAK
Pacote / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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