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EPC8010

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Número da peça
EPC8010
Fabricante
EPC
Descrição
GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
EPC8010.pdf
Total:$0.88200
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.88200

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Número da peça
EPC8010
Fabricante
EPC
Descrição
GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
2.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
0.48nC @ 5V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
55pF @ 50V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
-
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
Die
Pacote / caso
Die

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