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FCMT199N60

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Número da peça
FCMT199N60
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
FCMT199N60.pdf
Total:$1.88098
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$1.88098

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Número da peça
FCMT199N60
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
20.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
199 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
74nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2950pF @ 100V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
Power88
Pacote / caso
4-PowerTSFN

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