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FDN358P

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Número da peça
FDN358P
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$0.13467
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.13467

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Número da peça
FDN358P
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3
Status da Peça
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
1.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
5.6nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
182pF @ 15V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
SuperSOT-3
Pacote / caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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