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IRFW630BTM-FP001

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Número da peça
IRFW630BTM-FP001
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$0.53210
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.53210

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Número da peça
IRFW630BTM-FP001
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Status da Peça
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
720pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.13W (Ta), 72W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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