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FDMD8900

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Número da peça
FDMD8900
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V POWER
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
FDMD8900.pdf
Total:$0.96852
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.96852

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Número da peça
FDMD8900
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V POWER
Status da Peça
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
19A, 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2605pF @ 15V
Potência - Max
2.1W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
12-PowerWDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
12-Power3.3x5

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