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TPC8115(TE12L,Q,M)

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Número da peça
TPC8115(TE12L,Q,M)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$0.00000
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(Em dólares americanos)
1pcs
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Número da peça
TPC8115(TE12L,Q,M)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
115nC @ 5V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
9130pF @ 10V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-SOP (5.5x6.0)
Pacote / caso
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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