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DMG4N60SK3-13

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Número da peça
DMG4N60SK3-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
MOSFET BVDSS 501V 650V TO252 T
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
DMG4N60SK3-13.pdf
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(Em dólares americanos)
1pcs
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Número da peça
DMG4N60SK3-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
MOSFET BVDSS 501V 650V TO252 T
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
3.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
14.3nC @ 10V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
532pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
48W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-252
Pacote / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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