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SI4866DY-T1-GE3

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Número da peça
SI4866DY-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SI4866DY-T1-GE3.pdf
Total:$1.12535
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(Em dólares americanos)
1pcs
$1.12535

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Número da peça
SI4866DY-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
11A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 17A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.6W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-SO
Pacote / caso
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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