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DMN2014LHAB-7

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Número da peça
DMN2014LHAB-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
DMN2014LHAB-7.pdf
Total:$0.21374
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.21374

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Número da peça
DMN2014LHAB-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
Status da Peça
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1550pF @ 10V
Potência - Max
800mW
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
6-UFDFN Exposed Pad
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
U-DFN2030-6 (Type B)

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