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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXTQ200N10T

IXTQ200N10T

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Número da peça
IXTQ200N10T
Fabricante
IXYS Corporation
Descrição
MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IXTQ200N10T.pdf
Total:$5.63000
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Preço de referência
(Em dólares americanos)		 1pcs
$5.63000

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Número da peça
IXTQ200N10T
Fabricante
IXYS Corporation
Descrição
MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
200A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
152nC @ 10V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
9400pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
550W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-3P
Pacote / caso
TO-3P-3, SC-65-3

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