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IXTA1R6N100D2HV

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Número da peça
IXTA1R6N100D2HV
Fabricante
IXYS Corporation
Descrição
MOSFET N-CH
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IXTA1R6N100D2HV.pdf
Total:$2.58760
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$2.58760

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Número da peça
IXTA1R6N100D2HV
Fabricante
IXYS Corporation
Descrição
MOSFET N-CH
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
1.6A (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 5V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
645pF @ 10V
Recurso FET
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-263HV
Pacote / caso
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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