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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single GP2M023A050N

GP2M023A050N

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Número da peça
GP2M023A050N
Fabricante
Global Power Technologies Group, Inc.
Descrição
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
GP2M023A050N.pdf
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(Em dólares americanos)		 1pcs
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Número da peça
GP2M023A050N
Fabricante
Global Power Technologies Group, Inc.
Descrição
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
23A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3270pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
347W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-3PN
Pacote / caso
TO-3P-3, SC-65-3

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