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SI2318DS-T1-GE3

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Número da peça
SI2318DS-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SI2318DS-T1-GE3.pdf
Total:$0.20758
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.20758

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Número da peça
SI2318DS-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 20V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
750mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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