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IPN50R3K0CEATMA1

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Número da peça
IPN50R3K0CEATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
CONSUMER
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPN50R3K0CEATMA1.pdf
Total:$0.15246
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.15246

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Número da peça
IPN50R3K0CEATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
CONSUMER
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
2.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 400mA, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 30µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
4.3nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
84pF @ 100V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
5W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-SOT223
Pacote / caso
SOT-223-3

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