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IPG20N06S4L26AATMA1

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Número da peça
IPG20N06S4L26AATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPG20N06S4L26AATMA1.pdf
Total:$0.42705
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.42705

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Número da peça
IPG20N06S4L26AATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Status da Peça
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 10µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1430pF @ 25V
Potência - Max
33W
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TDSON-8-10

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