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SI4800BDY-T1-GE3

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Número da peça
SI4800BDY-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SI4800BDY-T1-GE3.pdf
Total:$0.32578
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(Em dólares americanos)
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$0.32578

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Número da peça
SI4800BDY-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
6.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 5V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-SO
Pacote / caso
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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