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FQPF2N80YDTU

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Número da peça
FQPF2N80YDTU
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
FQPF2N80YDTU.pdf
Total:$0.91081
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.91081

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Número da peça
FQPF2N80YDTU
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
1.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3 Ohm @ 750mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-220F-3 (Y-Forming)
Pacote / caso
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

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