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R6030ENZ1C9

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Número da peça
R6030ENZ1C9
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
R6030ENZ1C9.pdf
Total:$5.63000
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$5.63000

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Número da peça
R6030ENZ1C9
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
120W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-247
Pacote / caso
TO-247-3

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