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SI5513CDC-T1-GE3

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Número da peça
SI5513CDC-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SI5513CDC-T1-GE3.pdf
Total:$0.24368
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(Em dólares americanos)
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$0.24368

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Número da peça
SI5513CDC-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Status da Peça
Active
Tipo FET
N and P-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
4A, 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
4.2nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
285pF @ 10V
Potência - Max
3.1W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
8-SMD, Flat Lead
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
1206-8 ChipFET™

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