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DMN10H099SFG-7

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Número da peça
DMN10H099SFG-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
DMN10H099SFG-7.pdf
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$0.29618

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Número da peça
DMN10H099SFG-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
4.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
25.2nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1172pF @ 50V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
980mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerDI3333-8
Pacote / caso
8-PowerWDFN

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