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SI8806DB-T2-E1

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Número da peça
SI8806DB-T2-E1
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 12V MICROFOOT
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SI8806DB-T2-E1.pdf
Total:$0.18050
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.18050

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Número da peça
SI8806DB-T2-E1
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 12V MICROFOOT
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
-
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
43 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 8V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
4-Microfoot
Pacote / caso
4-XFBGA

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