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IPD30N06S4L23ATMA1

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Número da peça
IPD30N06S4L23ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
IPD30N06S4L23ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Status da Peça
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 10µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1560pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
36W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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